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BSC123N08NS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.3 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 33µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 40V; 功率_最大：66W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：剪切带 (CT)

BSC123N08NS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.3 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 33µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 40V; 功率_最大：66W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：Digi-Reel®

BSC123N08NS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.3 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 33µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 40V; 功率_最大：66W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：带卷 (TR)

BSC123N08NS3 G供应商

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8-1879274-0
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7M-30.000MBBK-T
晶体 TXC CORPORATION 4-SMD CRYSTAL 30.000 MHZ 20PF SMD
8-1879275-5
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0805（2012 公制） RES 4.99K OHM 1/8W 0.1% 0805
C901U360JVSDAAWL40
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 36PF 400V 5% RADIAL
C1206C820GDGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 82PF 1KV 2% NP0 1206
7921560000
接线座 - 配件 Weidmuller 1206（3216 公制） SIHA 3/G20 400V
81060-650C04-RB
矩形- 接头，公引脚 3M 1206（3216 公制） CONN HEADER 60POS STR SHORT S